Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Как разогнать оперативную память

Задаваясь вопросом об увеличении производительности компьютера без установки новых комплектующих, вы наверняка встречали материалы про разгон процессора или разгон видеокарты… Но слышали ли вы про разгон оперативной памяти?

В данной статье мы разберемся, как разогнать ОЗУ и что для этого нужно.

Что дает разгон оперативки?

Зачастую для раскрытия потенциала вашего процессора требуется оперативная память не только с большим объемом, но и с высокими частотами. Если ваша память низкочастотная, то ее вполне реально разогнать и получить бонус к производительности компьютера.

Как разогнать ОЗУ

Конечно, здесь учитываются такие факторы, как чипсет материнской платы, тип процессора и т.д., но, так или иначе, разгон явно лишним не будет, так как прирост производительности произойдет при любом раскладе.

Какие параметры стоит учитывать при разгоне

Тайминг

Одна из основных характеристик ОЗУ. Вдаваться в детали я не буду, но если вкратце: тайминги должны быть минимальными, но такими, чтобы система работала стабильно. Определять мы их в дальнейшем будем методом тыка, потому что конкретные значения для разных плашек ОЗУ найти трудно.

Тайминг ОЗУ

Частота

Основная характеристика ОЗУ. Здесь все устроено проще, но стратегия обратная: ищем самое высокое значение, при котором система будет работать стабильно.

Ранг памяти

Тоже важная характеристика памяти. Узнать ранг памяти довольно просто – иногда он указан в названии модели вашей плашки. Буква S – Single Rank (один ранг), D – Dual Rank (два ранга).

Модуль памяти DDR3

Бывает, что среди буквенной каши трудно найти нужную букву, поэтому можно просто загуглить название плашки с запросом «Сколько рангов».

Совет: модель плашки и слово ранг лучше выделять кавычками, чтобы Гугл искал запросы только с этими словами.

Оперативная память

Ранг памяти напрямую влияет на то, как память будет поддаваться разгону. Одноранговые плашки считаются самыми подходящими для разгона, так как выдают больше мощности при изменении настроек, однако же двухранговые даже без разгона могут выдавать приличные значения.

Вольтаж

Как вы понимаете, если память будет работать на более высоких частотах, то и подаваемое питание нужно увеличить. Здесь все зависит от типа ОЗУ.

Для DDR2 нормальное напряжение держится на отметке 1.8 В, для DDR3 – 1.5 В, а DDR4 требует всего 1.2 В.

Соответственно, добиваясь максимальных частот, стоит учитывать, что максимальное значение напряжения для DDR2 должно составлять не больше 2.2 В, для DDR3 – 1.7 В, для DDR4 – 1.4 В. Переступать через данные отметки СТРОГО НЕ РЕКОМЕНДУЕТСЯ, иначе вы рискуете здоровьем оперативной памяти!

ОЗУ

Начинаем веселье!

Для начала мы переходим в BIOS – сделать это можно нажатием на клавишу F2 (реже F12, F9, DEL) при запуске компьютера. Клавиша зависит от производителя вашей материнской платы.

Разгон оперативной памяти

Теперь у нас есть два пути. Зачастую у оперативной памяти от именитых брендов есть заранее заготовленные XMP-профили. Это своего рода «пресеты» с нужными настройками. Если у вас таковые имеются в распоряжении, вы – везунчик. Выставляйте нужную частоту, а XMP-профиль сделает все остальное за вас.

Настройки БИОС

Второй путь потребует небольшой усидчивости: вам придется настраивать все вручную, то есть искать настройки в интернете или тыкать наугад.

И в том, и в другом случае нам нужно выставить напряжение плашки и напряжение контроллера памяти и L-3 кэша.

Первое делается в разделе «Dram Voltage». Берем с запасом, но не переступаем через порог!

Overclocking RAM

Второй параметр называется «CPU NB/SoC Voltage». Средние рекомендуемые значения для данного параметра находятся в пределах 1.025–1.15 В, но здесь все зависит от производителя чипа.

Overclocking MSI

Как только вы все настроите, можно приступать к таймингам. Рекомендуется выставить их значение на пару тактов выше. К примеру, для тайминга 9-9-9-24 можно выставить значение 11-11-11-26.

MSI BIOS

Сохраняем изменения и запускаем ПК. Не спешите радоваться успешному запуску системы – нам, как-никак, еще стресс-тесты нужно делать!

Проверить стабильность системы в стресс-тестах можно с помощью программы MemTest86.

Если все работает стабильно, снова возвращаемся в BIOS и начинаем постепенно сбавлять напряжение плашки и ее тайминги. Затем снова сохраняем настройки, запускаем систему, прогоняем через тесты. И так до первых проблем с системой.

Надо найти идеальный баланс между высокой частотой, низким напряжением и низкими таймингами.

Рекомендую сначала снижать тайминги до отказа, а затем на оптимальных значениях понижать напряжение. Точных значений дать не могу – все плашки работают по-разному, однако после нахождения оптимальных значений вы можете с гордостью считать себя оверклокером!

Спасибо за внимание! Надеюсь, что данная статья помогла вам увеличить производительность ПК.

Как разогнать оперативную память (и почему это нужно)

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Общая производительность компьютера — это результат совместной работы различных компонентов. Если один компонент работает слишком медленно, возникает узкое место. В любом компьютере один компонент будет основным ограничителем производительности, если у вас нет действительно сбалансированной сборки.

Само по себе это не проблема, но можно повысить скорость вашего графического процессора, процессора и оперативной памяти. Позволить другим компонентам системы раскрыть свой истинный потенциал. В то время как разгон графического процессора и процессора (относительно) прост, оперативная память может быть немного более пугающей. К счастью, по крайней мере, на современных компьютерах разгон оперативной памяти намного проще и безопаснее, чем раньше.

Преимущества разгона вашей оперативной памяти также могут быть существенными. Особенно, если вы также разгоняете другие компоненты системы, что затрудняет работу вашей оперативной памяти.

Что такое «разгон»?

Хотя вы, вероятно, имеете разумное представление о том, что такое разгон, давайте просто убедимся, что мы все на одной странице. «Тактовая частота» такого компонента, как GPU, CPU или RAM, — это мера того, как часто этот компонент проходит весь рабочий цикл. Таким образом, процессор с частотой 1 ГГц выполняет один миллиард циклов каждую секунду. Если вы удвоите его частоту до 2 ГГц, он будет работать в два раза быстрее, по крайней мере, теоретически.

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Оперативная память такая же. Он имеет тактовую частоту, от которой зависит его базовая производительность. Добавьте к этому больше мегагерц, и ваша оперативная память станет быстрее.

Зачем вам разгонять оперативную память?

Увеличение скорости вашей оперативной памяти имеет общее преимущество для производительности всей вашей системы. Это означает, что ЦП может быстрее получить информацию в ОЗУ и будет тратить меньше времени на ожидание, пока ОЗУ не успеет обработать его запросы. Это принесет пользу широкому кругу приложений, хотя вы, вероятно, не заметите большой разницы при просмотре веб-страниц или написании отчета в Word.

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Видеоигры и другие сложные рабочие нагрузки с большим объемом памяти, когда ЦП должен постоянно обращаться к ОЗУ для выполнения вычислений, будут быстрее, если ваша ОЗУ получит хороший прирост.

Больше, чем просто мегагерц

Причина, по которой так много людей опасаются разгона оперативной памяти, заключается в том, что речь идет о большем, чем просто увеличение тактовой частоты до тех пор, пока оперативная память не выйдет из строя, а затем немного отступить. RAM должна выполнять несколько различных типов сложных операций для поиска, чтения и записи в ячейки памяти.

Обычно они выражаются как «тайминги» барана. Например, вы увидите спецификации RAM, за которыми следует строка чисел, например «10-10-10-30». Каждое из этих чисел представляет количество тактовых циклов, которые занимают определенные операции. Меньшие числа означают более высокие скорости. Вот краткое объяснение каждого первичного временного числа:

  • CL: Cas Latency — сколько тактов между запросом в ОЗУ и ответом от него.
  • tRCS: RAS to CAS Delay — задержка между активацией строки и затем столбца ячейки памяти.
  • tRP: RAS Precharge — время между деактивацией одной строки памяти и активацией следующей.
  • tRAS: Active to Precharge Delay — время ожидания между каждой операцией доступа к памяти.

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Эти четыре основных тайминга — это то, что большинство людей настраивает при разгоне своей оперативной памяти. Также существует множество суб-таймингов, но они предназначены для абсолютных экспертов, которые точно знают, что делают. Настроить эти основные тайминги более чем достаточно для любого пользователя, который хочет немного повысить производительность.

Вы хотите, чтобы эти тайминги были как можно меньше, не вызывая проблем со стабильностью или производительностью. Дело в том, что чем выше вы увеличиваете частоту, тем выше должны быть эти числа, чтобы все работало. Это может привести к ситуации, когда более высокие скорости, но более слабая синхронизация приводят к общему снижению производительности.

Официальные и поддерживаемые скорости

Забавный случай произошел с установлением стандартов скорости памяти DDR. Они не достигают такой высоты, с которой могут справиться настоящие микросхемы памяти. Таким образом, эти комплекты высокоскоростной памяти, которые вы можете купить, часто рекламируют со скоростью, которая полностью выходит за рамки официального стандарта для памяти DDR.

Однако, поскольку ОЗУ рассчитано на эти числа, и производители материнских плат также разрабатывают материнские платы, которые поддерживают эти скорости, на практике это мало что значит.

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Теперь довольно легко разогнать эти модули оперативной памяти до максимальной номинальной скорости. У них есть профили памяти, которые точно сообщают компьютеру, какие настройки использовать. Профили SPD являются одним из примеров, но есть также Intel XMP (экстремальные профили памяти), которые сообщают материнской плате самый быстрый официальный «разгон» для вашей оперативной памяти.

Выходя за рамки профилей

Профили памяти, не соответствующие спецификациям, на самом деле являются разгоном оперативной памяти и полностью безопасны! Возможно, вы захотите остановиться здесь. Просто выберите самый быстрый профиль памяти, указанный в настройках BIOS, и наслаждайтесь максимальной номинальной производительностью.

Однако с этого момента мы собираемся выйти за рамки профилей. Сыграйте в силиконовую лотерею, чтобы увидеть, есть ли у ваших микросхем памяти больший потенциал.

Использование CPU-Z для настроек

Мы рекомендуем загрузить копию утилиты CPU-Z. Здесь вы можете увидеть как свои текущие настройки памяти, так и все утвержденные профили для ваших модулей памяти.

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Запишите их! Это хороший справочник по утвержденным безопасным настройкам. Кроме того, если ваша материнская плата не поддерживает профили памяти, вы также можете использовать официальные настройки профиля для ручного разгона. Обратите особое внимание на перечисленные здесь напряжения RAM. Если вы хотите безопасно разогнаться, никогда не превышайте эти напряжения. Оставьте это экспертам, которые не прочь пожарить свою память в погоне за производительностью.

Получение базовой линии

Прежде чем возиться с оперативной памятью, вам нужно измерить базовую производительность. Это помогает увидеть, улучшает или ухудшает ваш разгон. Мы не рекомендуем использовать тесты для конкретной памяти. В конце концов, мы ищем общесистемные улучшения, которые повлияют на реальные варианты использования. Поэтому используйте тест, который отражает реально используемые вами рабочие нагрузки.
Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Если вы геймер, используйте что-нибудь вроде 3DMark или Unigine Heaven. Если вы занимаетесь творческой работой, попробуйте Cinebench. Запустите эти тесты и запишите, какие баллы достигла ваша система.

После каждого стабильного разгона запускайте их снова. Результаты лучше или хуже? Вот как вы узнаете, делает ли разгон свою работу.

Как разогнать оперативную память в BIOS

Хорошо, теперь мы готовы поиграть в BIOS, чтобы разогнать вашу оперативную память. Каждый BIOS отличается, и это очень общие инструкции. См. Подробности в руководстве по BIOS. Также обратите внимание, что не все материнские платы могут вручную разгонять оперативную память. Ваша материнская плата может даже не поддерживать высокопроизводительные профили. К сожалению, единственное решение — купить материнскую плату с такими функциями разгона. С учетом сказанного, приступим к делу:

  1. Перезагрузите компьютер и нажмите сочетание клавиш, чтобы войти в BIOS (обычно клавиша Del).
  2. Перейдите на страницу настроек памяти в опциях.
    Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
  3. Найдите расширенные настройки, возможно, вам придется переключиться с «авто» на «ручной», чтобы увидеть их.
  4. Ищите выбор профиля памяти. Если профили XMP доступны, и вы просто хотите максимально быстрый безопасный разгон, выберите самый высокий, а затем сохраните и выйдите. На этом все готово. Если вы хотите пойти дальше, продолжайте читать.
    Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
  5. Найдите страницу частоты памяти и установите вручную множитель и тайминги памяти.
    Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
  6. Увеличьте множитель тактовой частоты на одну ступень по сравнению с максимальной сертифицированной скоростью для вашей оперативной памяти.
  7. Установите такие же тайминги, как те, которые указаны в самом быстром профиле памяти. Возможно, вам придется сделать это для каждого канала памяти. В данном случае это каналы A и B, поскольку это двухканальная материнская плата. Сохраните и перезагрузитесь.
    Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
  8. Если ваш компьютер перезагружается успешно, запустите стресс-тест памяти, чтобы убедиться, что он стабилен.
  9. Если ваша память не проходит стресс-тест, попробуйте ослабить тайминги, пока он не пройдет.
  10. Повторите действия с шага 6, пока не достигнете предела возможностей памяти, а затем верните его туда, где стресс-тест прошел успешно.

Еще раз, не устанавливайте напряжение памяти выше, чем наивысшее официально зарегистрированное напряжение!

После того, как ваша память будет максимально загружена, снова запустите тесты и посмотрите, улучшились ли результаты. Если нет, шаг за шагом возвращайтесь к разгону, пока не увидите улучшения.

ПРИМЕЧАНИЕ. Если множитель тактовой частоты ОЗУ недостаточно высок, чтобы довести ОЗУ до сертифицированной скорости или выше, то единственный вариант — увеличить базовую частоту (BCLK). Многие материнские платы этого не допускают. Кроме того, любое увеличение базовой частоты также повлияет на ваш процессор и другие компоненты.

Поэтому, если вы увеличиваете базовую частоту, вам может потребоваться уменьшить множитель вашего процессора для компенсации. Поскольку это руководство по безопасному разгону, мы не будем рассматривать модификацию базовой частоты. Это более сложный процесс, требующий сложной балансировки различных компонентов.

В случае экстренного сброса BIOS

А что, если все пойдет не так, и ваш компьютер вообще не загрузится? Паника? Нет!

Вам необходимо сбросить BIOS, чтобы восстановить стандартные настройки вашей оперативной памяти, и они снова смогут работать. Вы должны проконсультироваться с руководством по материнской плате, чтобы узнать, как это сделать, но в целом одно из них должно работать:
Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

  • Перезагрузите компьютер 3-4 раза. Некоторые материнские платы сбрасываются до значений по умолчанию после нескольких неудачных попыток загрузки.
  • Если возможно, нажмите кнопку сброса BIOS на материнской плате.
  • Установите перемычку сброса BIOS на материнскую плату, если применимо.
  • Извлеките батарею CMOS, подождите несколько минут и замените ее.

После сброса настроек BIOS все должно вернуться в нормальное состояние. Однако вам придется пройти через все настройки, чтобы убедиться, что они такие, какими должны быть. Если у вас материнская плата UEFI, вы можете сохранить профиль BIOS на жесткий диск, прежде чем начинать что-то менять. Затем вы сможете восстановить его из сохраненного профиля. Удачного разгона!

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

  • Подготовка
  • Ожидания и ограничения
    • Материнская плата
    • Микросхемы
      • Отчёты Thaiphoon Burner
      • О рангах и объёме
      • Масштабирование напряжения
      • Ожидаемая максимальная частота
      • Биннинг
      • Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
      • Ранговость
      • Intel – LGA1151
      • AMD – AM4
      • Нахождение максимальной частоты
      • Пробуем повысить частоты
      • Оптимизация таймингов
      • Дополнительные советы
        • Intel
        • AMD

        Подготовка

        • Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
        • Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
        • Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
        • С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти. От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.
        • Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти. с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.
        • Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:[email protected]».
        • Благодарность: u/nucl3arlion
        • Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
          • Intel: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством материнских плат, за исключением EVGA).
          • AMD:
            • Ryzen 1000/2000: Ryzen Timing Checker.
            • Ryzen 3000: Ryzen Master.
              – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша. – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит. – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше. – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.

            Ожидания и ограничения

            В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

            Материнская плата

            • Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
            • На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
              • На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
              • Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
              • Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
              • По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

              Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

              Микросхемы (чипы памяти)

              Отчёты Thaiphoon Burner

              • Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)
              • Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

              По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

              • Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

              О рангах и объёме

              • Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
              • Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

              Масштабирование напряжения

              Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

              Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
              Масштабирование напряжения CL11

              На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

              Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

              Чип tCL tRCD tRP tRFC
              8 Гб AFRДаНетНет?
              8 Гб CJRДаНетНетДа
              8 Гб Rev. EДаНетДа?
              8 Гб B-dieДаДаДаДа

              Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

              Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
              Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

              Ожидаемая максимальная частота

              Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

              Чип Ожидаемая максимальная частота (МГц)
              8 Гб AFR3600
              8 Гб CJR4000*
              8 Гб Rev. E4000+
              8 Гб B-die4000+

              * – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

              Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

              Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

              Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

              B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

              Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

              Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

              А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

              Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

              Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

              Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

              Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

              Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

              Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

              • 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die. На основе оценок buildzoid’а.

              Встроенный контроллер памяти (IMC)

              Intel: LGA1151

              IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

              Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:

              Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
              предоставлено: Silent_Scone.

              Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

              Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

              Частота (МГц) VCCSA/VCCIO (В)
              3000-36001,10 – 1,15
              3600-40001,15 – 1,20
              4000+1,20 – 1,25

              Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

              tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

              В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

              Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

              В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.

              SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.

              На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.

              В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Я читал, что напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, но другой информации об этом вольтаже я не нашёл.

              1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу. Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).»

              Источник: The Stilt

              Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

              Ryzen Ожидаемая частота (МГц)
              10003000-3600
              20003400-3800*
              30003600-3800 (1:1 MCLK:FCLK)
              3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

              Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.

              • * – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу
              • * – 3400-3533 МГц – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
                «Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте распределилось следующим образом:3400 МГц – 12.5% образцов;3466 МГц – 25.0%;3533 МГц – 62.5%.» Источник: The Stilt

              Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых.

              «Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.»

              Источник: The Stilt

              Geardown Mode (GDM) автоматически включается на частотах выше 2666 МГц, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL.

              • К примеру, если вы попытаетесь запустить 3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16.
              • В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

              У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

              «В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»

              Источник: TweakTown

              Ryzen Латентность (нс)
              100065-75
              200060-70
              300065-75 (1:1 MCLK:FCLK)
              75+ (2:1 MCLK:FCLK)

              Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

              Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

              Разгон

              Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

              Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

              • Выставляются очень большие тайминги.
              • Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
              • Выставляются оптимально-малые тайминги.

              Нахождение максимальной частот

              На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.

              • Asrock: VID для разгона SoC у AMD в подменю BIOS скрыты. Значения VID (Voltage ID).
              • Asus: VDDCR SOC.
              • Gigabyte: Dynamic Vcore SOC.

              Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.

              2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.

              3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

              4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.

              В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.

              На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

              5. Запустите тест памяти на свой выбор.

              • Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ. У меня 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14 Гб.
              • Минимальные рекомендуемые значения Coverage:
                • MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
                • Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

                6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

                7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

                8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

                Пробуем повысить частоты

                • Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В
                • Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
                • Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.
                • Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
                • Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

                2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
                3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
                4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
                5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

                Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы

                Оптимизация таймингов

                Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.

                • Я бы рекомендовал выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.
                • Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = ddr_freq*num_channels*64/8.
                • Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-95% от теоретической максимальной пропускной способности.

                На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)

                • Попробуйте отключить GDM и установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте GDM включенным.
                • Попробуйте установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте CR в 2Т.

                2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

                Тайминги Надёжно
                (Safe)
                Оптимально
                (Tight)
                Предельно
                (Extreme)
                tRRDS
                tRRDL
                tFAW
                6 6 244 6 164 4 16
                tWR161210

                3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).

                • Начинайте с tCL и уменьшайте его на 1 до появления нестабильности.
                • То же самое проделайте с tRCD и tRP.
                • После того, как вышеупомянутые тайминги будут подтянуты до предела, выставите tRAS по формуле tRAS=tCL+tRCD(RD)+2* и tRC по формуле tRC=tRP+tRAS.
                  • Если tRAS будет ниже, то возникнут проблемы с производительностью.
                  • Установка tRC доступна только в UEFI AMD и некоторых Intel.
                  • * – Для Micron Rev. E, похоже, нужно выставлять tRAS=tCL+tRCD(RD)+4 (ну, по крайней мере для моих планок так).

                  4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

                  • Перевод в нс: 2000*timing/ddr_freq. Пример: tRFC 250 на 3200 МГц = 2000*250/3200 = 156,25 нс.
                  • Перевод из нс: ns*ddr_freq/2000. Пример: 180 нс на 3600 МГц = 180*3600/2000 = 324.

                  Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

                  Чип tRFC (нс)
                  8 Гб AFR260-280
                  8 Гб CJR260-280
                  8 Гб Rev. E300-350
                  8 Гб B-die160-180

                  5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

                  Тайминг Надёжно
                  (Safe)
                  Оптимально
                  (Tight)
                  Предельно
                  (Extreme)
                  tWTRS
                  tWTRL
                  4 124 8
                  tRTP12108
                  tCWLtCLtCL-1tCL-2

                  На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.

                  6. Третьестепенные тайминги:

                  Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

                  Я предлагаю так:

                  Тайминг Надёжно
                  (Safe)
                  Оптимально
                  (Tight)
                  Предельно
                  (Extreme)
                  tRDRDSCL
                  tWRWRSCL
                  4 43 32 2

                  Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.

                  • О настройке tWRRD_sg/dg см. пункт 5.
                  • Настройка tRDWR_sg/dg/dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности. Как правило, значения у них одинаковые, например – 9/9/9/9.
                  • Обратите внимание, что dr влияет только на двуранговые планки. Поэтому, если у вас одноранговые планки, можете игнорировать этот тайминг.

                  А тут тайминги на B-die, к сведению.

                  tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.

                  Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.

                  7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

                  Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX

                  Дополнительные советы

                  • Увеличение частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, 3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и 3200 16-18-18, однако 3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью.
                  • Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на частоте 3200 МГц, то скорее всего они и на 3600 МГц будут работать так же, и даже на 4000 МГц, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.
                  • Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на частотах выше 3600 МГц.
                  • Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.
                  • Для уменьшения значений RTL и IOL следует увеличивать значения IOL-офсетов (IOL offsets). Подробнее здесь (англ.)
                  • Пользователям материнских плат Asus Maximus, имеющим проблемы с загрузкой, стоит попробовать настроить значения управления перекосами (skew). Подробнее здесь (англ.)
                  • Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом. На Ryzen 3000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. С ними согласуются настройки, предлагаемые пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.
                  • Понижение напряжения SoC может помочь восстановить стабильность.
                  • На Ryzen 3000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на частотах выше 3600 МГц.

                  Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

                  Источник https://timeweb.com/ru/community/articles/kak-razognat-operativnuyu-pamyat

                  Источник https://ip-calculator.ru/blog/ask/kak-razognat-operativnuyu-pamyat-i-pochemu-eto-nuzhno/

                  Источник https://i2hard.ru/publications/24111/

                  Источник

Leave a Comment

Ваш адрес email не будет опубликован.